檢索結果：共78筆資料 檢索策略： "石墨烯".ckeyword (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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下世代微發光二極體(Micro LED)顯示技術為追求更高解析度，LED晶粒需大幅縮小，然而當晶粒尺寸微縮時，亮度也隨之降低，增加注入電流維持顯示所需足夠亮度為最快解決方法。目前LED使用之氧化銦…
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本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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氮化鎵擁有高能隙、高電子飽和速度及高崩潰電場等優越特性，成為第三代 高頻、高功率應用元件之寬能隙半導體熱門材料。然而高功率操作下，元件產生 高溫，傳統金屬電極特性衰退，致使元件性能產生熱退化問題。因…
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圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用，然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…
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本研究分為兩部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物以化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯，並以石墨烯作為比較，探討其性質是否不同。我們以拉曼光譜、TEM、XPS、UV-Vis分析其材料特性，在拉曼光譜中的分…
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本研究主要分為三部份，首先以Cu(B)薄膜作為硼摻雜來源，透過快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid thermal chemical vapor deposition system, RTCVD)來…
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本論文探討以奈米分散技術製備氧化石墨烯混成材料，將氧化石墨烯混入聚氨酯(Polyurethane, PU)中，製備具阻氣能力之薄膜。研究以分散碳材為主軸，從第四章開始首先探討高分子型分散劑對不同氧化…
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本論文利用動態光散射(DLS)、UV-vis吸收光譜、PL光激發光光譜、偏光顯微鏡(POM)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、以及穿透式電子顯微鏡(TEM)進行一系列老化時間、溫度效應及混摻不同奈米碳材…
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本研究以種子介導生長法製備出不同尺寸的三角形銀奈米板(Triangular silver nanoplates, TSNPs)，並結合氧化石墨烯(Graphene Oxide, GO)、還原氧化石墨…
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近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…